self-aligned polysilicon-gate MOS process

self-aligned polysilicon-gate MOS process
MOP darinių su susitapatinančiomis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self-aligned polysilicon-gate MOS process vok. selbstjustierende MOS-Polysiliziumtechnik, f rus. технология МОП-структур с самосовмещёнными поликремниевыми затворами, f pranc. technologie de structure MOS à grilles en polysilicium auto-alignées, f

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

Игры ⚽ Поможем решить контрольную работу

Look at other dictionaries:

  • selbstjustierende MOS-Polysiliziumtechnik — MOP darinių su susitapatinančiomis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned polysilicon gate MOS process vok. selbstjustierende MOS Polysiliziumtechnik, f rus. технология… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • technologie de structure MOS à grilles en polysilicium auto-alignées — MOP darinių su susitapatinančiomis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned polysilicon gate MOS process vok. selbstjustierende MOS Polysiliziumtechnik, f rus. технология… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • MOP darinių su susitapatinančiomis polikristalinio silicio užtūromis technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned polysilicon gate MOS process vok. selbstjustierende MOS Polysiliziumtechnik, f rus. технология МОП структур с самосовмещёнными поликремниевыми затворами, f pranc. technologie de… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • технология МОП-структур с самосовмещёнными поликремниевыми затворами — MOP darinių su susitapatinančiomis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned polysilicon gate MOS process vok. selbstjustierende MOS Polysiliziumtechnik, f rus. технология… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up …   Wikipedia

  • Integrated circuit — Silicon chip redirects here. For the electronics magazine, see Silicon Chip. Integrated circuit from an EPROM memory microchip showing the memory blocks, the supporting circuitry and the fine silver wires which connect the integrated circuit die… …   Wikipedia

  • LOCOS-Prozess — LOCOS, kurz für englisch Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an… …   Deutsch Wikipedia

  • Polycide — is a silicide formed over polysilicon. Widely used in DRAMs. In a polycide MOS transistor process, the silicide is formed only over the polysilicon film as formation occurs prior to any polysilicon etch. Polycide processes contrast with salicide… …   Wikipedia

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”